🔥誼虹接 EML 磊晶，華星光專注 3 吋後段製程 Sep.2026

華星光通（LuxNet；代碼 4979）表示，2026 下半年動能將來自 DCI 新產品、CW Laser 及 EML 產品線投入量產。公司預期 2026 下半年的業績相較於上半年將有「大幅度成長」。在 2027 年業績公司以「跳躍」來形容，首先是隨八德廠、合江廠等擴產產能陸續於 2027 年開出，營收預計會有跳躍式的成長。其中，新世代 DCI（Data Center Interconnect，資料中心互連）產品在 2027 年的營收預估將較今年成長一倍以上，營收規模將與公司既有產品平分秋色。在產業長線能見度，該公司表示，訂單與產品技術能見度已清晰看到 2028 年年底。

華星光四座廠規劃 → 中壢合江廠轉做專屬 InP 晶圓廠；新購入八德廠建逾 5,500 坪無塵室、2027 年啟用

華星光通科技（LuxNet；代碼 4979）針對公司四大廠區與辦公空間擬定中長期規劃，包括擴廠與去瓶頸。

• 中壢合江廠（一廠）：
  • 無塵室佈局： 總面積為 5,450 平方米。1F 為雷射晶粒線（Laser Chip Line，1,200 平方米）；2F 與 3F 為收發器生產線（Transceiver Line，各 1,400 平方米）。
  • 合江廠 4F 則規劃為雷射晶粒線（Laser Chip Line，950 平方米，於 2025 年 Q1 完成）與研發/封裝專區（RD/Package，500 平方米，於 2026 年 Q4 完成）。
  • 中長期規劃： 公司預計將整棟合江廠轉為專屬的 InP（磷化銦）晶圓廠（Wafer Fab），月產能可達 3,000 片晶圓規模。並計劃於 2028 年起，在此廠建置一條 4 吋及 6 吋的全自動化生產線。
• 中壢吉林廠（二廠）：
  • 面積為 1,500 平方米（於 2025 年 Q3 投入生產）。未來吉林廠與周邊辦公室將主要轉作高階封裝（包含 NPO 產品）的生產基地。
• 竹東廠（三廠，採租賃）：
  • 面積為 1,200 平方米，已於 2026 年第三季投入生產。
• 桃園八德廠（四廠）：
  • 於 2026 年 5 月購入，預計自 2026 年底開始，於 2027 年將 5,500 平方米的無塵室空間建置完畢。
  • 八德廠已申請保稅工廠，未來將集中進行 DCI（資料中心互連）模組的組裝與測試。
• 無塵室與辦公室擴充總覽：
  • 無塵室總面積預估：2024 年底 4,000 平方米 → 2025 年底 6,550 平方米 → 2026 年底 8,150 平方米 → 2027 年底達 13,650 平方米。2028 年因八德廠仍有容積率，土建擴建後預期可再增加 10,000 平方米的無塵室空間。
  • 辦公室擴充：2026 年 Q3 購買 600 平方米，並另行租賃 2,400 平方米，合計 3,000 平方米的辦公室空間，預計於 2026 年 Q4 開始啟用。

關於這些擴增產能的資本支出幾乎是必然帶來的營運舉措，我們會於內文裡討論到財務性議題。

華星光 InP（磷化銦）Wafer Roadmap 與雷射產品時程

首先先看 Wafer 尺寸升級的時程安排（Roadmap），華星光晶圓製程技術正逐步往大尺寸與高功率移動。其 2 吋晶圓是 2026 年之前及目前的主力，主要生產 CW Laser 20mW、40mW、70/100mW 產品，以及 EML 100G 產品。華星光的 3 吋晶圓已在 2026 年起導入，用於生產 CW 70/100mW、EML 100G/lane 及 200G/lane 產品，並包含高階的 CW + SOA（400mW）產品。公司預期 2027 年將以 3 吋晶圓為主流。

4 吋與 6 吋晶圓則屬公司在 2028 年中長期規劃。公司預計於 2028 年開始導入 4 吋與 6 吋全自動化產線，朝向更大晶圓、更高功率及多波長擴增發展。

其次 CW Laser 與 EML 100G / 200G 量產時程。（1）2 吋晶圓的 CW Laser 70mW / 100mW 產品已在生產中； 3 吋晶圓部分，70mW 及 100mW 產品也按時程規劃進行。（2）2 吋/ 3 吋的 EML 100G/lane 產品已於 2026 年下半年（2026 Q3）開始有量產出貨；公司預估於 2027 年 EML 產品將迎來比較大量的生產。針對更高速的 EML 200G/lane 產品，公司已將納入 3 吋與 4 吋未來發展 Roadmap 之中。

在 InP 晶粒製程技術能力（InP Die Process Expertise）上，華星光集團具備以下完整的晶粒製程與檢測能力。⑴ 切割劈裂製程（Laser Bar Scribe/Break）配備 Scriber（劃線機）與 Breaker（裂片機）。⑵ 端面鍍膜製程（Facet Coating）進行高精密 AR/HR 鍍膜，使用 IAD E-Beam（離子輔助電子束蒸鍍）、ECR（電子迴旋共振）、分光光度計，並進行 Laser Bar Stacking。⑶ 晶粒切割製程（Die Scribe/Break）將 Bar 進一步分割成單顆 Chip。⑷ 測試（Testing）： 擁有 Chip Tester（晶粒測試機）與 Bar Tester（Bar測試機）。⑸ 視覺檢測（Visual Inspection）導入 4-sided AOI（四面自動光學檢測） 與 Sorting（分選機）。

華星光專注晶圓製程流程（Wafer Process Flow）的製造競爭優勢

華星光有完整晶圓生產流程（Wafer Process Flow），製程從晶圓清洗開始，經歷高整合度的製程控制與追溯：

Clean（晶圓清洗） → Isolation Trench（隔離溝槽／隔離溝槽製作） → Dielectric Layer（介電層） → P-ID Metal（P型識別／電極金屬） → Contact Window（接觸孔開口） → P-Contact Metal（P型接觸金屬） → RTP（快速熱處理） → Wafer Thinning（晶圓薄化） → Demount & Clean（拆卸載台與清洗） → N-Contact Metal（N型接觸金屬） → RTP（快速熱處理） → N-Bond Metal（N型鍵合金屬） → FQC（最終品質檢驗） → Warehouse（入庫）

• Top View（頂視圖）設計： 晶圓表面設計包含兩側頂角的「+」字形定位對位標記（Alignment marks），中央走多條平行的波導條紋，並在右下角刻有元件型號標記（如 3301C）。
• Side View（側視圖）設計： 從端面（from AR/HR）看，呈現多層結構。基板上方為紫色的介電層（Dielectric Layer），並有向內凹陷的雙溝槽（Trench）結構來侷限電流；上方覆蓋黃色的 P-Contact 金屬電極，底部則為黃色的 N-Contact 晶圓背金電極層。

華星光在製造心得與優勢，公司進一步說明其四方面，首先是頂尖 EML 團隊技術移轉。華星光收發器與 EML 的研發與生產團隊，主要來自全球光通訊大廠 Source Photonics（索爾思光電），該團隊在 Source Photonics 時期就已具備 100G/lane EML 的成熟量產經驗，製程與技術門檻極高。

在多波長（Multi-wavelength）技術在業界有一定技術前沿。華星光在 CW Laser 技術上，已能做到 16 個多波長產品，這在全世界屬於極少數供應商能提供的 niche（利基）市場，公司目前是全球多波長雷射產出量最多的廠商，因而享有較佳的毛利率。第三是客戶裝置支援降低財務風險；華星光從 InP 前端晶圓到後端封裝，均獲得重要大客戶直接提供裝置（設備）的支援，不僅大幅減少了公司的資本支出負債壓力，更能有效降低景氣波動時的風險。

最後是高精準度封裝。公司具備 Die Bond（黏晶/固晶）放置精度小於 <0.3 μm的製程實力，且在 Lens/Fiber Array 的 Active Alignment（主動對位）上，精準度可達到 <0.1 μm以下。

引用研究機構 LightCounting（2026 年 7 月報告），2026 年 800G 需求翻倍上修至 70KK

華星光在簡報引用了全球光通訊領域最具權威、研究信譽極佳的指標機構 LightCounting（2026 年 7 月報告） 數據：

研究機構 LightCounting 在 2026 年已三度上修以太網路光收發模組與 CPO/NPO 的全球市場需求。預估 2031 年市場規模已由年初預估的 520 億美元大幅上調至 800 億美元。該機構的舊報告原先預期 2026 年 800G 的需求數為 35KK（3500萬顆），但最新報告已將 2026 年需求翻倍上修至 70KK，等於800G 需求較原預估翻了一倍。

同時，研究機構亦預期 1.6T 產品於 2026 年開始上量，整年市場需求為 15KK（1500萬顆）；但到了 2027 年，1.6T 的市場需求預期將暴增至 60KK，顯示 100G/lane 往 200G/lane、400G/lane 的切換速度極快。

投資人關心的 NPO 與 CPO 替代時程上，LightCounting 預測，在 2027 至 2029 年間，NPO（近封裝光學）將取代 CPO（共封裝光學）成為主要出貨規格。主因是 CPO 有良率瓶頸且無法現場維修，而 NPO 能達到接近的低電耗與密度，且支援插拔與多供應商來源。該機構認為，CPO 則需等到 2030 年才會真正成為市場主流。

華星光 2026 上半年財報亮點與未來展望

華星光 2026 上半年財報， 累計營收達新臺幣 24.82 億元，年增 15.2%。上半年累計毛利達 5.92 億元，年增 38.3%。Q2 單季毛利率為 22.48%，略微季減是因為一筆跨季財稅認列時間差異，將於 2026 Q3 補回認列。且上半年營業費用率控制在極低的 4.3%。

上半年累計營業利益達 4.87 億元，年增 40.3%；EBITDA 達 5.59 億元，年增 73.6%。上半年累計稅後淨利為 4.14 億元，年增 34.4%；累計每股盈餘（EPS）達 2.91 元 ，其中，2026 Q2 單季 EPS 為 1.29 元。定存加上現金合計將近 30 億元（關於現金流量、內文會再討論）。在存貨方面，6 月底存貨為 6.6 億元（年增 2.4 億元），主要為新產品量產與 2H26 爆發性需求預先備料。

華星光法說會上的 2H 2026 至 2027 年營運展望

資本支出（Capex）規劃方面，2026 年資本支出提升至 18～21 億台幣（此為實際支出，不含已發包未付款），主要用於購置土地廠房（如八德廠）、無塵室建置與 InP Wafer Fab。規畫中的 2027 年資本支出保守估計將超過 30 億台幣，持續擴增廠房與生產裝置。

華星光認為 2026 下半年動能將來自 DCI 新產品、CW Laser 及 EML 產品線投入量產，預期 2026 下半年的業績相較於上半年將有「大幅度成長」。在 2027 年的業績上，隨八德廠、合江廠等擴產產能陸續於 2027 年開出，營收預計會有跳躍式的成長。

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一、華星光定位、沿革與集團角色

1.1 基本資料

1.2 股權結構與「誼虹三角」

【研究判讀…