宇川(7887)指出 GAA Nanosheet優勢有兩個:⑴ 微縮限界 → 克服 FinFET 物理限制,實現更極致微縮;例如 2nm、1.4nm;⑵ 效能與功耗上 → 更好的閘極控制減少漏電,提升速度並降低耗能。
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