宇川精材（代號 7887）成立於 2011 年，目前實收資本額 8.17 億元，主要產品為高階與高純度前驅物（Precursor）。公司從初期提供太陽能板生產前驅物，與三五族化合物前驅物，近年更跨入矽晶圓 ALD 製程前驅物，純度達 8N 等級（99.999999%）以上、純度越高越有利於半導體客戶的良率，2023 年以來累計出貨予半導體客戶有 3,000 公斤實績。其產品應用場域從太陽能板、化合物半導體（高頻元件），到高深寬比的半導體先進製程（晶圓製造）。目前全球前驅物產業，主要由國際四家大廠所主導，宇川作為該半導體材料前驅物的新進者，在 2024 年獲得國內重要晶圓代工廠接單，法人預期其營收可望在 2026、2027 年呈現正成長，2028 年隨著各個重要晶圓大廠皆進入 2 奈米以下製程，其 3 年後未來成長性更值得關注。
不同產業使用的前驅物時樣態各異，大部份在特用化學氣體裡使用。宇川提供一條龍服務，業務除了 ① 提供多種前驅物產品，包含 ② 特用化學品，③ 鋼瓶服務/鋼瓶清洗及 ④ TAF 檢測服務來滿足客戶的需要。
其中，第 ③ 項的鋼瓶是前驅物「載具」；前驅物是裝入特製鋼瓶裡來運輸。鋼瓶充填與使用具安全與存放等議題，客戶自然希望由宇川精材自行掌握。
公司已公告指出近五年財報（經會計師簽核）處於虧損，公司自結 2025 年前十一月每股虧損 1.37 元（未經會計師簽核）；這主要是營運規模未達經濟效益。
從自結 2025 年前十一月營收近 1.21 億元，已超過 2024 年全年（12 個月）營收的 0.61 億元來看，2H25 月營收已呈現快速上升趨勢，加上前驅物在 ALD（原子沉積）製程應用的價值高，宇川已成為國內重要半導體晶圓代工的供應鏈之一，讓外界看重宇川未來 2 年營運有望出現轉折。公司預計 2026 年 1/13 登錄興櫃。
快達摩爾定律極限，從台積電、三星等半導體製程微縮趨勢，來看前驅物發展：
為何半導體製程未來可望使用更多「前驅物」材料？
主因是晶圓邏輯製程半導體製程從過去採用「鰭狀」的 FinFET 電晶體（鰭式場電晶體），進步至多層水平堆疊的「奈米片」（Nanosheet）製程，並用閘極（Gate）全方位包覆（Gate-All-Around）這些奈米片，以實現更精確的電流控制、更低的功耗與更高的效能，將晶片微縮推進到更小的奈米級別（如 2 奈米以下），滿足 AI、高效能運算的需求。
先進製程走向稱為◎ GAA Nanosheet（全方位包覆的水平堆疊奈米片製程） ◎優勢有兩個：
⑴ 微縮限界方面 → 克服現今 FinFET 的物理限制，實現更極致的微縮；例如 2nm、1.4nm；
⑵ 效能與功耗上 → 更好的閘極控制減少漏電，提升速度並降低耗能。這些都是晶圓代工廠想要達到的目標，而想達成此目標，就要由現今常用的 CVD 製程，改用更精準的 ALD（原子層沉積）和蝕刻技術。
從最下游應用端的環境來看，業界延續摩爾定律、以 ALD 製程提升晶片性能的關鍵，是讓手機、AI 晶片等能變得更小、更快、更省電。台積電（TSMC）、三星電子、英特爾（Intel）都在積極發展，預計 2nm 製程將是 GAA 的重要應用節點。而要讓 ALD 導入步驟與沉積層數能夠有效率的增加，對應的 ALD 前驅物材料的消耗也會隨之增加。
宇川 2026 年著手建南科二廠，為擴產作準備：
宇川在 2026 年初員工人數為 113 位，生產製造基地就在台灣台南科學園區，並跟國內學術機構，還有官方背景研究機構合作，其快速研發與就近服務客戶上是一項優勢；此方面是否面臨挑戰會於內文【Key Points】裡聊一聊。
目前成為投資人關心的重點，主要在公司持續保持其產品供貨穩定（體現在後續的 2026 年的單月營收表現，最好是 2H26 就能見到更多成長、也在內文討論），並儘快提高產能（公司已決定要擴建南科二廠）。
沿革方面，宇川 2014 年首項前驅物 TMA1（Trimethylaluminum）量產出貨，2016 年開始出貨產品予太陽能產業客戶。2017 年進駐在南科廠。
【註】：TMA1 是半導體材料合成氣體前驅物，確保了 III-V 族化合物半導體（如氮化物）在電子和太陽能等光電元件製造應用。TMA1 也常被用來與三甲基銦 (TMIn)、三甲基鎵 (TMGa) 等前驅物做搭配，在氮化鎵 (GaN) 相關的寬能隙半導體（Wide Bandgap）中製造 AlInN (氮化鋁銦) 薄膜。
2019 年是宇川營運上重要的一年，那年公司與特用氣體重要廠商◎聯華林德（Linde LienHwa）◎聯合開發半導體材料，正式踏入半導體。並在 2020 年完成半導體前驅物產線建置。
為滿足客戶需要，在 2021 年新納入鋼瓶清洗/分裝業務；2022 年超微量分析實驗室通過 TAF 認證。2023 年完成半導體前驅物試量產；2024 年進入 Tier 1 半導體公司供應鏈。2025 年公司啟動二廠建置計畫，預計 2026 年開始建新廠。
緊盯宇川南科新建廠進度，是觀察指標：
宇川南科一廠占地 6,000 平方公尺，總建物面積 1,025 坪。因為前驅物製造屬於第三類、第四類公共危險物品，廠區內重要的生產品、設備區、化學倉庫區等多棟建物都需一定的安全間距；而且官方幾乎每個月，都赴宇川精材的南科廠做安全檢查及稽核。宇川認為，現有南科一廠產能利用率已趨緊，因應未來成長，已著手準備建設南科二廠，二廠建地為 8,900 平方公尺。
本篇全篇文章〔宇川精材 2026 年興櫃登錄前 問與答〕有 1 字頭低位數的討論，有營運相關（客戶開發與重點客戶）、財務相關（新廠的想法與進度） 、產品相關（內文有充份討論，產品相關著墨少）、市場變化與競爭相關（合作方與凸顯優勢策略等）等四大面向。以市場變化與競爭相關的 33% 比例最高。
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（一）什麼是半導體前驅物（precursor）
- 前驅物，有利於在半導體銅製程導線周圍沉積成膜，是 CVD 與 ALD 製程會使用到的半導體材料。
- 前驅物主要種類：
- 氮化矽（SiNx）：TSA、BDEAS、3DMAS、DIS
- High K（高介電質）氧化物：TMA1、TEMAZr、TEMAHf
- Low K（低介電質）氧化物：Borazine、TEMAB、OMCATS
- 隔離層：TDMATi、PDMATa
- 前驅物材料：TMGa、TMIn、TMA1、TSA。
- 應用產業：
- 半導體（氮化硼BN、high/low k、氮化矽 SiN、氧化矽 SiO 製程成膜），應用以製造邏輯 IC 與記憶體 IC 為主。
- 化合物半導體（作為磊晶之用途）；
- 太陽能（如 TMA1 材料的使用）；
- 其他如 MEMS 微機電、光電產業、能源產業、醫療生物、高頻元件等。
- 〔簡報第 15 頁說明〕：
- 晶片中的「金屬導線（橘色孔洞）」之前採「鋁製程」，多改用「銅製程」。電子沉積設備製程，由這些前驅物輔助下，得為孔洞完成均勻薄膜層、維持好的導電性或是維持良好絕緣（二氧化矽）特性。
- 【Remind】：以 BDEAS 為例的用途一，透過 ALD 製程利用其優異氣相特性，與氧源（如 O2 或 H2O）交替反應，在低溫度精確控制（SiO2) 薄膜生長，用於深寬比結構填充。
- 【Remind】：用途二，是蝕刻阻擋層（Hard Mask）用途；在雙重圖案化（DPT）等先進製程中，與光阻（PR）配合使用，作為圖案轉移必要材料。
- 可參考◎中文技術論文◎
- 宇川在台灣、美國、中國以及全球的製造專利，跟國內等學術及研究機構有發前驅物原廠，技術並非來自海外。
- 品質及環安衛是品管的重要憑藉，有 ISO 9001（品質管理），ISO 14001（環境管理），ISO 45001（職安衛管理）等認證系統。