前驅物（Precursor）在光電製造與半導體製程建構時關鍵化合物材料。這些製程所需要的前驅體在 CVD 、ALD 和外延生長製程發揮了關鍵功能，形成矽晶圓薄膜。前驅物功能是為沉積半導體、絕緣體和導電材料層提供原料。
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Intel 英特爾
宇川（7887）指出 GAA Nanosheet優勢有兩個：⑴ 微縮限界 → 克服 FinFET 物理限制，實現更極致微縮；例如 2nm、1.4nm；⑵ 效能與功耗上 → 更好的閘極控制減少漏電，提升速度並降低耗能。
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宇川（7887）產品為高純度前驅物，並提供一條龍服務，業務除了 ① 提供多種前驅物產品，包含 ② 特用化學品，③ 鋼瓶服務/鋼瓶清洗及 ④ TAF 檢測服務來滿足客戶的需要。
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宇川精材（7887）近年跨入矽晶圓 ALD 製程前驅物（Precursor），純度達 8N 等級，獲得晶圓代工廠接單；2026、2027 年呈現正成長，2028 年隨著大廠進入 2 奈米以下製程，其 3 年後未來成長性更值得關注。
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長廣（7795）組織架構有三家公司，並以台灣為上市主體的〈台灣長廣〉，旗下兩家子公司，一個在日本〈日本 Nikko-Material〉，一個在中國廣州的〈中國長廣(廣州)廠〉。
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長廣（7795）評估在高階三段式真空壓膜機的銷售比重，會較之前再升高；隨著 AI 伺服器需要，高速運算晶片處理器 IC 載板增加，將讓公司高噸數壓力/三段式真空壓膜機接單上升。
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長廣（7795）認為 4Q25 營運加溫；高階三段式真空壓膜機銷售比重，會較之前再升高；隨著下游客戶對 AI 伺服器需要，高速運算晶片處理器 IC 載板增加，將讓公司高噸數壓力/三段式真空壓膜機接單上升。
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全球與台灣微污染防治市場研究。AMC 污染物： ⑴ 電晶體線距更窄、污染物易干擾；⑵ EUV 光刻機鏡組與光罩可能產生光學霧化；⑶ AMC 吸附晶圓，干擾薄膜沉積或蝕刻；⑷ AMC 改變半導體材料電子遷移率。
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