宇川精材（代號 7887）指出，半導體製程未來可望使用更多「前驅物」材料的原因，主因是晶圓邏輯製程半導體製程從過去採用「鰭狀」的 FinFET 電晶體（鰭式場電晶體），進步至多層水平堆疊的「奈米片」（Nanosheet）製程，並用閘極（Gate）全方位包覆（Gate-All-Around）這些奈米片，以實現更精確的電流控制、更低的功耗與更高的效能，將晶片微縮推進到更小的奈米級別（如 2 奈米以下），滿足 AI、高效能運算的需求。
快達摩爾定律極限，從台積電、三星等半導體製程微縮趨勢，來看前驅物發展：
先進製程走向稱為◎ GAA Nanosheet（全方位包覆的水平堆疊奈米片製程） ◎優勢有兩個：
⑴ 微縮限界方面 → 克服現今 FinFET 的物理限制，實現更極致的微縮；例如 2nm、1.4nm；
⑵ 效能與功耗上 → 更好的閘極控制減少漏電，提升速度並降低耗能。這些都是晶圓代工廠想要達到的目標，而想達成此目標，就要由現今常用的 CVD 製程，改用更精準的 ALD（原子層沉積）和蝕刻技術。
從最下游應用端的環境來看，業界延續摩爾定律、以 ALD 製程提升晶片性能的關鍵，是讓手機、AI 晶片等能變得更小、更快、更省電。台積電（TSMC）、三星電子、英特爾（Intel）都在積極發展，預計 2nm 製程將是 GAA 的重要應用節點。而要讓 ALD 導入步驟與沉積層數能夠有效率的增加，對應的 ALD 前驅物材料的消耗也會隨之增加。
宇川已公告指出近五年財報（經會計師簽核）處於虧損，公司自結 2025 年前十一月每股虧損 1.37 元（未經會計師簽核的自結數）；這主要是營運規模未達經濟效益。
從自結 2025 年前十一月累計營收近 1.21 億元，已超過 2024 年全年（12 個月）營收的 0.61 億元來看，2H25 月營收已呈現快速上升趨勢，加上前驅物在 ALD（原子沉積）製程應用的價值高，宇川已成為國內重要半導體晶圓代工的供應鏈之一，讓外界看重宇川未來 2 年營運有望出現轉折。公司預計 2026 年 1/13 登錄興櫃。
宇川開發矽光子、記憶體/封裝應用前驅物新品
本篇增補文章〔宇川精材 2026 年興櫃登錄前 問與答〕有中個位數討論，有財務相關（新廠的想法與進度） 、產品相關（內文有充份討論，產品相關著墨少）等二大面向。以財務相關的比例稍高。
由於宇川精材還未有在公開資訊觀測站上進一步公告月營收概況（年報與半年報已上傳），本篇在 1/10 上架文章後，預計其登錄興櫃交易之後的 2～3 周之後會再做一次財務方面的更新。
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